金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120201763A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的沟道结构，所述沟道结构包括层叠设置的第一中间层、沟道层以及第二中间层，所述沟道结构包括栅极区域以及位于所述栅极区域两端的源极区域和漏极区域；第一N型重掺杂层及第二N型重掺杂层，所述第一N型重掺杂层位于所述衬底和所述沟道结构之间，所述第二N型重掺杂层位于所述沟道结构远离所述衬底的一侧，其中，所述第一N型重掺杂层及所述第二N型重掺杂层在所述沟道结构上的投影位于所述栅极区域内；以及位于所述栅极区域上的栅极，所述栅极覆盖所述第一N型重掺杂层、所述沟道层及所述第二N型重掺杂层的侧壁。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息300条，此外企业还拥有行政许可24个。
本文源自金融界
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